型号:ZXMHC10A07N8TC | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N?通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 800mA,680mA |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 700 毫欧 @ 1.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 2.9nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 138pF @ 60V |
功率_最大 | 870mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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